8英寸碳化硅衬底与6英寸碳化硅衬底对比分析
目前6英寸碳化硅衬底是市场主流，技术成熟、产业链完善。8英寸碳化硅衬底面临晶体质量控制等挑战，初期成本高。但部分企业通过技术优化实现量产逐步替代 6 英寸成为主导，如超芯星、思莱克工业科技等。
什么是碳化硅-SiC
碳化硅（SiC）是第三代宽禁带半导体材料，具有高硬度、高热导率、高禁带宽度及高击穿电场强度等特性，广泛应用于光伏新能源、5G通信、智能电网等领域，制备工艺复杂，却能显著提升高温、高压、高频等场景下半导体器件的性能与功效。
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碳化硅衬底工艺